橫河電機發布應用于DRAM量產的MT6111存儲器測試系統

    最新發布的MT6111系統，是市場現有的MT6060系統的改進型。和MT6060系統相比較，MT6111系統提高了測試效率，減少了將近20%的量產測試時間。MT6111系統是為占據了很大半導體市場份額的DRAM的量產而設計的高性價比存儲器測試機。除測試DRAM之外，MT6111也能應用于市場需求快速增長的NAND/NOR類型閃存[＊2]的測試。 

發展背景 

    半導體市場在過去30年內持續增長并且這種增長勢頭在未來還將繼續。DRAM半導體器件的需求促動了這種市場增長。DRAM不僅在個人電腦上大量使用，也正在越來越廣泛地應用于家用數碼產品。可以預測到DRAM在半導體市場將持續地占有較大份額。 

    在半導體市場快速成長的同時，IC的制造廠家正在努力降低IC的制造成本來增強其在全球的競爭力。例如，早期微制成技術的應用就是為了能從一塊晶圓上制造出更多的芯片。減少測試成本是半導體制造商增強其在全球競爭力的另一關鍵所在。為了迎合客戶的此種需求，橫河電機開發出高效能，低成本的DRAM測試系統。 

系統性能 

1. 并行測試
系統最大配置兩個獨立的測試站，最大的同測數目達到1024 DUT（MT6060產能的兩倍），因此提高了系統的性能并且增強了測試制程的產出。 

2. 低成本高效率的量產測試
為了提高DRAM的測試效率并降低測試成本，MT6111的最大工作主頻率達到140MHz。

3. 體積小重量輕 
MT6111系統僅占據橫河電機先前同類系統60%的空間，給測試制程節省了大量的空間并且有利于整體運行成本的降低。

主要特性參數

最大工作頻率: 140MHz
數據傳輸率: 280Mbits每秒
同測數目: 最大1024 DUT（兩個測試站時）
測試站配置: 2個（單個測試站亦可） 

主要市場

半導體制造商和半導體測試公司

應用

半導體器件DRAM ，NAND和NOR類閃存的前道工藝晶圓測試。

[＊1] DRAM
DRAM是動態隨機存儲器的簡稱，是一類需定期刷新的隨機存儲器，主要應用于個人電腦。

[＊2] 閃存
閃存是一類可讀寫的穩定存儲介質。NAND類閃存儲器存儲密度較高，主要應用于數碼相機的存儲卡等等。NOR類閃存儲器能提供較高的隨機存儲性能，通常作為手機的存儲介質。